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IRFHE4250D  ()
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100%
IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN
顶部外露电源??槠骷?/div>
直流 - 直流
应用提供卓越效率
2014
8
13
全球功率半导½和管理方案领导厂商 – ½际整流器公司
(International Rectifier,简称 IR)
推出
IRFHE4250D FastIRFET
双功
MOSFET,藉以扩充电源??樽榧盗?。新款 25V
器件在
25A
的电流下½够比其它顶级的传统电源??椴芳跎?/div>
5%以上
的功率损耗,适用于
12V
输入
直流 - 直流
同步降压应用,包括先进的电信和½络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本
(Ultrabook)
和笔记本电脑等。
IRFHE4250D
配备
IR
新一代硅技术,
并采用了适合背面贴装的
6×6 PQFN
顶部外露纤薄封装,
为电源??榇锤喾庾把≡?。
这款封装结合了出色的散热性½、½导通电阻
(Rds(on))
与栅极电荷
(Qg),提供卓越的功率密度和较½的开关损耗,从而缩
减电路板尺寸,提升整½系统效率。
IR
亚太区销售副总裁½大伟表示:
“高达
60A
额定值的
IRFHE4250D FastIRFET MOSFET
是全球首款顶部外露电源??槠骷?,
提供行业领先的功率密度,有效满足要求顶尖效率的高性½
直流 - 直流
应用?!?/div>
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