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I408-53533FA-20.000  I408-51631FA-20.000  I408-57533FS-20.000  I408-53515FA-20.000  I408-51663FS-20.000  I408-51562VA-20.000  I408-53513VS-20.000  I408-5156YVA-20.000  I408-51561VS-20.000  I408-57533VS-20.000  
CSD17571Q2 30V N通道NexFET功率MOSFET (30V N-Channel NexFET Power MOSFETs)
.型号:   CSD17571Q2
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描述: 30V N通道NexFET功率MOSFET
30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
文件大小 :   908 K    
页数 : 11 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
购买 :   
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100%
SLPS393 - 2013年10月
30V N通道NexFET ?功率MOSFET
检查样品:
1
特点
低Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 2毫米×2毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
漏源极电压
栅极电荷总数( 4.5 V )
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
30
2.4
0.6
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.6
24
20
V
nC
nC
V
?
?
?
?
?
?
?
2
订购信息
设备
CSD17571Q2
SON 2毫米×2毫米
塑料包装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
磁带和
REEL
应用
?
?
?
优化负载开关应用
存储,平板电脑和手持设备
优化控制FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
价值
30
±20
22
7.6
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
这30V , 20MΩ , Son2x2 NexFET?功率MOSFET
已被设计为最小化功率损耗
转化率和负载管理应用程序,而
对于规模提供了出色的散热性能
该程序包。
顶视图
D
1
D
6
D
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流(套餐限制)
连续漏电流
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 12 A,L = 0.1 mH的,R
G
= 25
Ω
漏电流脉冲,T
A
= 25°C
39
2.5
-55到150
7.2
(1) R
θJA
= 50的1in2铜(2盎司)对0.060"厚的FR4 PCB
D
2
5
D
(2)脉冲持续时间10
μs,
占空比
≤2%
G
3
S
4
S
P0108-01
50
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
0
2
4
R
DS ( ON)
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
C
= 25 ° C,I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 5A
栅极电荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷( NC)
4.5
5
5.5
G001
I
D
= 5A
V
DS
=15V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有? 2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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