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XC6371C202DL  XC6216B20C202ER  XC6365C202ER  XC6216D20C202EL  EC202B100A  XC6204C202DR  XC6204C202DR  XC6371C202DR  XC6216C20C202EL  XC6210C202DR  
SACB5.0  ()
.型号:   SACB5.0
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描述:
文件大小 :   492 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   UNSEMI [ UN Semiconducctor INC ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
表面贴装瞬态电压抑制器( TVS )
SACB系列
描述
The SACB series is designed specifically to protect sensitive electronic
从感应雷击和其他瞬态电压瞬变设备
电压事件。
5.0 To 50 V
500W
低电容
单向
特点
u
u
u
u
u
u
玻璃钝化芯片
500W峰值脉冲功率能力为10 / 1000μs波,
repetitive rate (duty cycle): 0.01%
低漏
出色的钳位能力
非??斓南煊κ奔?/div>
符合RoHS
应用
TVS器件非常适合用于I / O接口,V?;?/div>
CC
bus and other
vulnerable circuits used in Telecom, Computer, Industrial and Consumer
电子应用。
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
参数
符号
P
PPM
I
PP
P
M( AV)在
T
J
, T
英镑
价值
500
看下表
3.0
-55到+150
单位
安培
°C
峰值脉冲功率耗散了10 / 1000μs波
(1)
Peak Pulse Current with a 10/1000μs waveform.(Fig.2)
(1)
在无限散热器在T功耗
L
=75°C (Fig.2)
工作结存储温度范围
注意事项:
1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above TA= 25°C per Fig. 2
电气特性
(T
A
= 25℃除非另有说明)
击穿
电压V
BR
@I
T
=1.0mA
(V)
最大
反向
泄漏
I
R
@V
RWM
(μA)
最大
夹紧
电压
V
C
@I
PP
(V)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
最大
连接点
电容
@0V
(PF )
工作
闭塞
电压
V
WIB
(V)
闭塞
泄漏
当前
I
IB
@V
WIB
(MA )
PEAK
电压
V
PIB
(V)
部分
设备
记号
CODE
反向
对峙
电压
V
RWM
(V)
SACB5.0
SACB6.0
SACB7.0
SACB8.0
SACB8.5
SACB10
SACB12
SACB15
SACB18
SACB22
SACB26
SACB30
SACB36
SACB45
SACB50
SAD
SAE
SAF
SAG
SAH
SAK
SAL
SAM
SAP
SAQ
特区
SAS
SAT
SAU
5.0
6.0
7.0
8.0
8.5
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
26.0
30.0
36.0
45.0
50.0
7.60
7.90
8.33
8.89
9.44
11.10
13.30
16.67
20.00
24.40
28.90
33.30
40.00
50.00
55.50
300
300
300
100
50
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10.0
11.2
12.6
13.4
14.0
16.3
19.0
23.6
28.8
35.4
42.3
48.6
60.0
77.0
88.0
44.0
41.0
38.0
36.0
34.0
29.0
25.0
20.0
15.0
14.0
11.1
10.0
8.6
6.8
5.8
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
150
150
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
200
200
联合国半导体有限公司
调整
2013年10月18日
1/4
@联合国半导体有限公司2013
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
请参考www.unsemi.com.tw的最新信息。
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